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有機-無機雜化二氧化硅材料的形貌控制SiO2
文章來源 : 齊岳生物
作者:zhn
發布時間 : 2022-08-23 12:41:44
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產品名稱:有機-無機雜化二氧化硅材料的形貌控制SiO2
產品描述:
有機-無機雜化二氧化硅材料的形貌控制SiO2? 目前已經可控地合成出了多種形貌的介孔有機-無機雜化二氧化硅材料,包括蛋糕狀、花狀、膜、球形等。不同的用途,對于材料的形貌要求也不同,比如傳感器中的需要膜形貌,而色譜分離、光子晶體方面的材料要求有規整的球形形貌,是液相色譜填料要求直徑不小于 3u m;而為了使色譜柱具有較高的柱效,要求顆粒的直徑要小于10um。由此可見,控制材料的形貌對其實際應用是至關重要的。在可控形貌中,球形顆粒因其更的應用前景,引起了人們的研究興趣。? 在介孔材料的合成過程中,影響材料宏觀形貌的因素主要包括兩個方面:一方面是膠束的形成,另一方面是硅源的水解-縮聚反應速率。膠束的形成包括膠束的形狀與尺寸,它主要與實驗過程中所添加的模板劑的量有關,而硅源的水解-縮聚反應速率與實驗的合成條件有關,如體系的酸堿度、溫度、水的含量等等。因此,通過選擇合適的模板以及改變合成條件可以調控材料的宏觀形貌,得到形態規則的介孔材料。模板劑的濃度? 圖1為模板劑水溶液的膠束化過程。當模板劑在水中的濃度時,此時水和空氣近乎直接接觸,水的表面張力下降并不多,接近于純水狀態。稍微增加模板劑的濃度,此時模板劑會在水表面聚集,從而減小了空氣和水的接觸面,進而導致表面張力的驟降。同時,水中的模板劑也相互地聚集起來,把憎水基團靠在一起,開始形成小的膠束。進一步增大模板劑的濃度,此時模板劑會在水表面形成排列緊密的單分子膜。此時,模板劑在水中的濃度模板劑的CMC,溶液的表面張力降到低值。當溶液的濃度過CMC時,此時膠束的數目和聚集數逐漸增加,而溶液的表面張力幾乎不再變化。? 以正硅酸乙酯為硅源前驅體,以三嵌段共聚物聚環氧乙烷-聚環氧丙烷-聚環氧乙烷(P123)為模板劑,以CTAB為助模板劑,在酸性條件下合成介孔氧化硅材料。結果表明,介孔二氧化硅材料隨模板劑添加量的增加展現出不同的形貌,由纖維狀逐漸向球形轉變,當添加量增加到0.6g 時,得到表面光滑的圓球。Han等l40!以十六烷基*基溴化銨(CTAB)和十二醇(CH2-OH)為雙模板劑,以正硅酸乙酯(TEOS)為硅源前驅體,實驗固定CTAB和TEOS的量,改變CH2-OH濃度,在堿性條件采用一步溶膠-凝膠法合成出一系列不同形貌的介孔二氧化硅材料。實驗結果表明,當CH2-OH/CTAB的摩爾比例從0增加到50,所合成介孔二氧化硅的形貌從球形變化為殼形、橄欖球形、花生形、空心球形。?圖1模板劑溶液的膠團化過程酸堿度? 影響介孔材料的結構和形貌的另一個重要因素是酸堿度,它主要是通過影響硅源的水解縮聚反應速率來實現對材料形貌的調控4。酸性有利于水解,堿性有利于縮聚。因此,堿性條件下更易于形成大顆粒的材料。以TEOS為硅源,以P123為模板劑,在酸性條件下合成了有序介孔分子篩SBA-15。實驗討論了鹽酸(HCI)用量對SBA-15形貌的影響。結果顯示,鹽酸的添加可以改變棒狀顆粒的長短,隨著添加量的繼續增加,得到類球狀形貌。以TEOS為硅源,以十六烷基氯化毗啶為模板劑,以甲酰胺為共溶劑合成介孔二氧化硅,討論了酸度對二氧化硅形貌的影響。實驗結果表明,HCl用量從10ml增加到40ml,氧化硅的形貌從螺旋球到中心帶孔的螺旋錐體,然后變為蠕蟲狀。溫度? 從加入硅源到進行水熱處理的這一段中間過程,通常被稱為陳化過程,陳化過程對介孔二氧化硅材料形貌的形成有很大的影響。研究者常常通過改變實驗的合成溫度來制備具有不同形貌的介孔氧化硅材料。水的含量? 硅源的水解速率受水的影響很大,水量稍微的增加,硅源的水解速率會增加。二氧化硅顆粒形成過程是硅源水解、成核和長大三者相互競爭的過程,其中,硅源水解是重要的過程,因此,體系中的水含量對于顆粒形貌至關重要。西安齊岳生物科技有限公司提供多孔材料、石墨烯、鈣鈦礦、量子點、納米顆粒、空穴傳輸材料、納米晶、化學試劑、光電化學品、有機光電和半導體材料、材料中間體、酶制劑、酶底物等一系列產品。齊岳供應相關定制產品:殼聚糖修飾二氧化硅納米粒子厚度可控的納米二氧化硅修飾毛細管柱疏水性半導體量子點的二氧化硅修飾介孔SiO2修飾多壁碳納米管SiO2修飾的阿霉素殼聚糖硬脂酸納米粒納米二氧化硅修飾蒙脫土粒子SiO2修飾的ZnO納米多孔薄膜復合電極POSS修飾二氧化硅核殼型色譜固定相金納米顆粒修飾二氧化硅納米片熱炭化的氧化鋁和納米二氧化硅雙重修飾多孔炭納米二氧化硅修飾的氧化石墨烯/環氧樹脂復合材料樹杈狀分子印跡二氧化硅修飾氧化銦錫二氧化硅修飾的多球腔碳材料二氧化硅修飾層狀硅酸鹽粉體二氧化硅修飾疏水性半導體量子點聚亞甲基藍/納米二氧化硅復合膜修飾電極(PMB-nano-SiO2/GCE)摻雜12硅鉬酸的二氧化硅薄膜修飾納米二氧化硅和二氧化鈦復合薄膜(TiO2/SiO2)碳氟基團修飾的疏水微孔二氧化硅膜乙烯基修飾的微孔二氧化硅膜孔zl 03.05 相關目錄: CsPbX3鈣鈦礦量子點單光子發射的特點( 熒光CY3,CY5,羅丹明,FITC標記紫藤凝聯系我們:
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