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CVD-WSe2單層薄膜:Si/SiO2襯底齊岳提供單層和雙層
文章來源 : 齊岳生物
作者:zhn
發(fā)布時間 : 2022-08-04 10:17:21
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產(chǎn)品名稱:CVD-WSe2單層薄膜:Si/SiO2襯底齊岳提供單層和雙層
產(chǎn)品描述:
CVD-WSe2單層薄膜:Si/SiO2襯底齊岳提供單層和雙層西安齊岳生物供應(yīng)生長WSe2二硒化鎢連續(xù)大面積薄膜除了使用藍(lán)寶石襯底以外,還可以通過調(diào)控和優(yōu)化實驗條件在二氧化硅襯底上生長出厘米量級的單層和雙層WSe2連續(xù)大面積薄膜。CVD生長WSe2大膜的生長條件與制備大尺寸單層WSe2薄膜的工藝參數(shù)基本一樣,不同的是(1)硒丸的加熱溫度設(shè)置為420℃,(2)先將氧化鎢在970℃下保溫20min后再通入7sccm的氫氣。因為氧化鎢的熔點高,不利于蒸發(fā),在970℃下保溫20min使剛玉舟內(nèi)有足夠多的WOx蒸汽,再通入大量的氫氣硒源的還原性,可以使硒與氧化鎢迅速反應(yīng)生成二硒化鎢薄膜。我們在此條件下,調(diào)控生長時間從5min到25min,步長為5min。如圖3-22(a)所示,當(dāng)生長時間為5min時,基片上出現(xiàn)大量的二硒化鎢單晶。通過觀察低倍光學(xué)照片發(fā)現(xiàn)許多二硒化鎢拼接在一起,并在晶界處有雙層二硒化鎢生長;觀察高倍光學(xué)照片和熒光照片發(fā)現(xiàn)二硒化鎢單晶不是一個干凈的正三角形,在邊緣出現(xiàn)許多“毛刺"和表面出現(xiàn)許多小點,尺寸在200μm左右。這是因為大量的氫氣引入,在加快二硒化鎢生長的過程中,還因為氫氣的腐蝕使二硒化鎢邊緣出現(xiàn)了一些缺陷加速WSe2橫向生長。如圖3-22(b)所示,當(dāng)生長時間為10min時,可以看到大面積連續(xù)的二硒化鎢薄膜,尺寸為1cm×1cm。通過高倍光學(xué)照片和對應(yīng)的熒光照片發(fā)現(xiàn)薄膜質(zhì)量比較均勻,單晶尺寸為150μm左右,但在晶界處有少量的多層二硒化鎢生長。如圖3-22(c)、(h)和(m)所示,反應(yīng)時間為15min時,在單層WSe2薄膜表面可以觀察到大量的形核點,開始生長二層二硒化鎢。這是因為生長時間增加,氫氣腐蝕薄膜表面,引入大量缺陷,由晶體學(xué)可知,晶體在缺陷處容易形核長大。如圖3-22(d)和(e)所示,繼續(xù)增加生長時間,雙層二硒化鎢的覆蓋率增加,其中生長時間為25min時,雙層二硒化鎢基本形成連續(xù)大膜,只有少量的空隙沒有生長。研究生長過程發(fā)現(xiàn)此方法生長的雙層連續(xù)大膜的生長方式為生長完一層后再生長二層,而不是由雙層二硒化鎢單晶拼接形成。量子點定制產(chǎn)品目錄:水溶性CdTe/CdS(碲化鎘/硫化鎘)3-巰基丙酸修飾CdTe碲化鎘量子點PbS量子點修飾TiO2納米棒二硫化碳修飾水溶性CdTe/CdS量子點Mn錳修飾CdTe/CdS量子點POSS修飾CdTe量子點POSS修飾CdSeTe熒光量子點硫化鎘包被碲化鎘核殼型量子點(CdTe/CdS QDs)牛血清白蛋白修飾碲化鎘量子點(BSA-CdTe)CdTe/CdS量子點負(fù)載PEI-MWCNTsCdTe/CdS量子點修飾TiO2納米管氨基化葫蘆脲修飾的碲化鎘量子點CB[6]/CdTe QDs和CB[7]/CdTeQDs核糖核酸酶(RNase A)修飾碲化鎘(CdTe)量子點3-巰基丙酸(MPA)包覆碲化鎘量子點(CdTe QDs)巰基化殼聚糖修飾碲化鎘量子點CdTe QDs巰基乙酸修飾的碲化鎘量子點(TGA-CdTe-QDs)石墨烯-碲化鎘量子點復(fù)合材料(G-CdTe QDs)氧化石墨烯-碲化鎘量子點(rGO-CdTe QDs)碲化鎘量子點功能化碳納米球(CNS/CdTe QDS)巰基丙酸包覆碲化鎘CdTe量子點(CdTe QDs)環(huán)糊精修飾碲化鎘CdTe量子點聚乙烯吡咯烷酮修飾硫化鎘量子點(PVP/CdS)硫化鎘量子點修飾AIE熒光探針分子羧甲基纖維素鈉修飾硫化鎘(CdS)量子點水溶性鍺摻雜硫化鎘量子點(Ge:CdS d-dots)硫化鎘量子點修飾多孔碳氮化物(pg-CN/CdS QDs)石墨烯/硫化鎘量子點復(fù)合材料硅納米線-硫化鎘CdS量子點復(fù)合材料廠家:西安齊岳生物科技有限公司以上資料來自小編axc,2022.03.15以上文中提到的產(chǎn)品用于科研,不能用于人體。 相關(guān)目錄: 多壁碳納米管直徑10-30nm,長度1-2um應(yīng) 紅細(xì)胞膜包裹介孔二氧化硅負(fù)載藥小分子聯(lián)系我們:
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