PIPS半導體探測
產品名稱:PIPS半導體探測
產品描述:
產品名稱:PIPS半導體探測
PIPS(Passivated Implanted Planar Silicon)離子注入型鈍化硅探測器是現代半導體技術的產物,使用離子注入裝置,對離子進行加速,經過篩選和聚焦以及再加速,射入硅片內部,整個過程都在真空狀態下進行。通過調節離子束的強度和能量可以控制摻雜離子在硅片中停留的深度和濃度,并且能控制摻雜離子的形狀。
相比傳統硅表面勢壘(SSB)探測器和擴散結(DJ)探測器,PIPS探測器具有以下優點:
1,接觸面是用離子注入法形成的,具有良好的α粒子分辨能力。
2,入射窗穩定且堅固,不易被劃傷損壞。
3,漏電流通常只有面壘型和結型探測器的1/10-1/100。
4,死層厚度比同類的面壘型和結構探測器都要小。
我司可提供為α/β粒子探測的深層離子注入型PIPS半導體探測器,外加10V偏壓下耗盡層深度可達100微米以上,足以沉積絕大多數α/β衰變的放射性核素的能量,所有探測器均能適應正常(E)和真空(V)環境。另外探頭入射窗都有鋁制保護膜,以適應不同的環境光照場合。接口方面,探頭均使用Microdot接口(工業標準),可選BNC和SMA接口。產品規格包括400,600,900,1200和2000平方毫米,主要應用于測氡儀和子體氣溶膠探測。
型號 | 靈敏區域/mm2 | 外殼/mm | 高/mm | 窗/mm | 對α粒子 FWHM/keV |
EPIAS 400 V/E | 400 | 34 | 13.5 | 23 | <18/38 |
EPIAS 600 V/E | 600 | 41 | 13 | 28 | <22/42 |
EPIAS 900 V/E | 900 | 48 | 13 | 34 | <27/45 |
EPIAS 1200 V/E | 1200 | 55 | 13 | 39 | <35/55 |
EPIAS 2000 V/E | 2000 | 67 | 13 | 50 | <40/75 |
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